【摘 要】
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为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,本文利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PINInP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
【出 处】
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2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会
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为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,本文利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PINInP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面InGaAs探测器,并测试了正照射和背照射时,器件的I-V、信号和响应光谱.测试结果表明,正照射和背照射情况下,器件的响应信号差别不大,正照射下器件的平均峰值探测率为4.13×1011 cmHz1/2W-1,背照射下器件的平均峰值探测率为4×1011 cmHz1/2W-1,但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止.
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