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利用原子力显微镜(AFM)，对乙烯基三乙氧基硅烷(A-151)在恒定20℃温度下气相吸附于SiO2基片表面形成的吸附膜的形貌及生长行为进行了研究，同时研究了气相吸附实验参数对A-15l吸附膜形貌的影响。实验结果表明，A-151气相吸附于Si02基片表面得到的吸附膜的粗糙度随着其浓度的增加而增大。对吸附A-151后SiO2基片的对水接触角的测量结果表明，SiO2基片由亲水转变为疏水。将吸附有A-151膜的SiO2基片置于超声分散器中的甲苯溶液中超声洗涤后与未经过超声分散的A-151吸附膜对比分析，结果表明A-151在SiO2表面的气相吸附过程中存在物理吸附和化学吸附两种吸附方式。