【摘 要】
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Ag3PO4作为一种新兴半导体光催化剂材料,其禁带宽度为 2.36eV,能吸收波长小于 530 纳米的太阳光[1].但是,Ag3PO4纳米晶体在溶液法制备时成核和生长很快,容易生成粒子尺寸
【机 构】
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同济大学化学系 上海 200092
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Ag3PO4作为一种新兴半导体光催化剂材料,其禁带宽度为 2.36eV,能吸收波长小于 530 纳米的太阳光[1].但是,Ag3PO4纳米晶体在溶液法制备时成核和生长很快,容易生成粒子尺寸较大的单晶(约在 500nm[2]).如若选择合适的模板,并以此模板为反应界面来控制其生长,将会得到粒径较小、比表面积较大、活性位点多的 Ag3PO4复合半导体材料.于是,我们基于 Ag 与 Ag3PO4相亲性,选择 Ag 纳米棒为模板,通过溶液共沉淀法将 Ag3PO4包覆在 Ag 纳米棒表面,得到 Ag@Ag3PO4复合结构.然后,通过种子生长法在 Ag3PO4表面进行宽带隙 ZnO 纳米棒阵列的生长,得到 Ag@Ag3PO4@ZnO 三元复合半导体材料.RhB 的光催化降解测试表明,Ag@Ag3PO4@ZnO 相对于 Ag3PO4 及其与 Ag、ZnO 的二元复合物具有更高的光催化活性.
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