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报道了采用PECVD技术制备的SnO<,2>-Ag-SnO<,2>结构薄膜，在20℃下对H<,2>S具有良好的气敏特性，即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
SnO-Ag-SnO结构室温HS敏感特性研究
【摘 要】
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报道了采用PECVD技术制备的SnO-Ag-SnO结构薄膜，在20℃下对HS具有良好的气敏特性，即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
【机 构】
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吉林大学电子工程系,集成光电子重点联合实验室(长春)
【出 处】
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第七届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2000年12期
其他文献
该文采用脉冲激光制膜法(PLD)在LaALO衬底上制备了BiLaTiO(x=1)薄膜。对薄膜进行X射线衍射分析表面其在衬底上实现了外延生长，外延生长的薄膜具有铁电特性。