【摘 要】
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利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InN和InGaN薄膜。室温InN样品的荧光峰在0.7eV左右,证实了InN具有小的带隙。通过插入GaN缓冲层,InN薄膜(0002)摇摆曲线半高宽从1.09°降到
【机 构】
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北京凝聚态物理国家实验室 中国科学院物理研究所 北京 100080
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利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InN和InGaN薄膜。室温InN样品的荧光峰在0.7eV左右,证实了InN具有小的带隙。通过插入GaN缓冲层,InN薄膜(0002)摇摆曲线半高宽从1.09°降到0.36°,载流子迁移率也从188cm<2>V<-1>s<-1>上升到475cm<2>V<-1>s<-1>,说明GaN缓冲层有利于提高InN薄膜的结构和电学性质。在InGaN三元合金中,X射线(0002)衍射的ω/2θ扫描显示InGaN薄膜中存在相分离,衍射角在2θ=33°的衍射峰来源于金属In的(101)衍射。高分辨电子显微像和衍射点的理论模拟证实了金属In团簇的存在并随机嵌入在InGaN薄膜中,其尺寸为10-50nm。
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