InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

来源 :第十二届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qiujunzhang

【作者】

：

艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海市长宁路865号,200050

【出处】

：

第十二届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2017年期

【关键词】

：

InP HEMT 材料优化生长

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