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电阻器、电容器和电感器是人们熟知的三个基本电路元件。在电路理论中,它们分别由四个基本电路变量一电荷(q)、电压(v)、电流(i)和磁通(φ)一两两之间的线性关系来定义。基于对称性考虑,1971年Leon Chua提出应该存在第四种基本电路元件,由电荷和磁通之间的线性关系来定义。由于当时未能找到一种真实的器件直接联系电荷和磁通,Leon Chua做了一个数学变换,得到一种具有非线性i-v关系的器件,称为忆阻器(memresistor),并把它当作第四种基本电路元件。在本报告中,我们指出Leon Chua定义的忆阻器并不是满足物理定义的真正的第四种基本电路元件。相反,磁电耦合效应(磁场改变电极化或者电场改变磁化强度)可以实现电荷和磁通之间的直接关联,因而可以用来构建第四种基本电路元件。我们考虑一个由磁电耦合介质和两个平行金属电极组成的简单两端元件,从朗道自由能出发,可以理论推导得出,线性磁电耦合效应使得该器件的电极上束缚电荷的变化和磁通的变化满足一个线性关系,因而具有第四种基本电路元件的功能。我们把该器件命名为电耦器(transtor),其相应的非线性记忆元件命名为忆耦器(memtranstor)。为了验证这一理论模型,我们在具有磁电耦合效应的多铁性材料中分别实现了真实的电耦器和忆耦器。基于这些新定义的基本元件,我们得到了一张基本电路元件的完整谱图,包括四个线性元件(电阻器、电容器、电感器、电耦器)和四个非线性记忆元件(忆阻器、忆容器、忆感器、忆耦器)。这一谱图为未来拓展电路功能和开发新型智能器件提供了指南。