在直接隧道应力下2nm超薄氧化膜体缺陷的产生特性

来源 :第八届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yu8886882

【摘要】

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随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,超薄氧化膜的电流传导机制已由直接隧道电流

【作者】

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许铭真谭长华段小蓉

【机构】

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北京大学微电子研究所(北京)

【出处】

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第八届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

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2002年8期

【关键词】

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二氧化硅薄膜隧道应力晶体缺陷 MOS器件

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随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,超薄氧化膜的电流传导机制已由直接隧道电流代替F-N隧道电流,成为MOS器件和EEPROM器件性能退化的重要原因之一.所以,研究直接隧道应力下的超薄氧化膜体缺陷的产生特性,成为超薄氧化膜可靠性研究的重要课题之一.

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