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双栅场效应管预失真器研究

来源 :1999年全国微波毫米波会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：binaryaa

【摘 要】

：

利用双栅场效应管（Ｄｕａｌ－ＧａＡｓ ＦＥＴ）的特性，对功率放大器进行预失真，以提高功率放大器的幅度、相位线性度，使放大器在效率和线性两项主要指标都有了很大的改进。

【作 者】

：

顾忠诚 

【机 构】

：

第六十三研究所(南京)

【出 处】

：

1999年全国微波毫米波会议

【发表日期】

：

1999年期

【关键词】

：

双栅场效应管 功率放大器 线性度 预失真 指标 效率 相位 特性 

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利用双栅场效应管（Ｄｕａｌ－ＧａＡｓ ＦＥＴ）的特性，对功率放大器进行预失真，以提高功率放大器的幅度、相位线性度，使放大器在效率和线性两项主要指标都有了很大的改进。

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