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LPCVD 是大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一。PCVD 技术可以提高淀积薄膜的质量,使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点,成为制备 Si_3N_4薄膜的主要方法。热壁 LPCVD 设备使用过程中出现薄膜的淀积速率、薄膜的均匀性、片内均匀性、片间均匀性不理想等问题,提出解决办法。