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随着集成电路和半导体微纳加工技术的不断发展，半导体器件钝化问题已经成为半导体物理的一个重要的研究领域，因而制备优质的钝化薄膜成为研究焦点。氮化硅薄膜具有高介电常数、高化学稳定性、致密性好、抗氧化、抗腐蚀、抗杂质扩散和水汽渗透能力强，耐摩擦等良好性能，被作为器件的钝化、隔离、电容介质等广泛应用于微电子工艺中，例如HEMT、LED、MOSFET、MEMS、solar cell 等。