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该文以黑体辐射能谱作为X光能谱，计算了黑体温度分别为1、3、5、8、10keV入射到某些材料后的光电产额和背散射电子能谱，为SGEMP理论研究和实验提供了有价值的数据。
蒙特卡罗方法对黑体辐射谱的光电子参数计算
【摘 要】
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该文以黑体辐射能谱作为X光能谱，计算了黑体温度分别为1、3、5、8、10keV入射到某些材料后的光电产额和背散射电子能谱，为SGEMP理论研究和实验提供了有价值的数据。
【机 构】
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核技术研究所(西安)
【出 处】
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第九届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
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1998年9期
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