基于宽禁带半导体的固体紫外探测器由于体积小、重量轻、功耗低等优势，近年来日益受到人们的关注.MgZnO材料具有3.2-7.8 eV的可调带隙，对应380-160 nm的紫外波段.成熟的同质衬底、较低的生长温度和丰富的元素储量，使MgZnO在紫外探测领域展现出巨大应用潜力.在本文工作中，我们制备了基于Mg0.27Zn0.73O合金薄膜的单肖特基结型紫外探测器.该合金薄膜采用金属有机物化学汽相沉积方法制备.反应源为乙基锌、甲基二茂镁和氧气.厚度约700 nm的原生薄膜在经过不同的退火处理后，被制成单肖特基结型器件.其中欧姆接触为铟烧结电极，肖特基接触采用20nm左右的热蒸发金膜.通过Ⅳ特性测试，两个电极分别展现了良好的欧姆特性和肖特基接触特性.经过先真空后空气氛退火后的薄膜制备的探测器，紫外/可见抑制比(330mn/440nm)可达4个数量级，比原生薄膜以及单纯真空退火后制备的器件显著提高.器件的响应峰和截止边分别位于330 nm和345 nm.扫描电子显微镜照片和室温光致发光谱表明，先真空后空气氛的二步退火过程，有利于晶粒的融合长大以及氧空位等本征缺陷的修复.