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该文研究了以低压化学气相淀积方法生长PSG表面钝化膜中磷的含量对磺向PNP管放大倍数的影响。给出了工艺的实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向PNP管钝化膜的最佳工艺数据，在这种工艺条件下，得到PSG膜中含磷量为4Wt℅。
PSG膜中含磷量对晶体管放大倍数的影响
【摘 要】
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该文研究了以低压化学气相淀积方法生长PSG表面钝化膜中磷的含量对磺向PNP管放大倍数的影响。给出了工艺的实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向PNP管钝化膜的最佳工艺数
【机 构】
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应用工程技术学院电机系
【出 处】
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第六届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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