AlGaN掺杂量子阱设计与制备

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【摘要】

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<正>本文围绕A1GaN量子阱的基本性质,结合第一性原理构建并模拟A1GaN量子阱的原子模型,通过在阱层和垒层的不同位置掺杂Si原子,来观察掺杂对量子阱的极化场、能带结构、电子

【作者】

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倪建超李书平闫东康俊勇

【发表日期】

：

2012年期

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<正>本文围绕A1GaN量子阱的基本性质,结合第一性原理构建并模拟A1GaN量子阱的原子模型,通过在阱层和垒层的不同位置掺杂Si原子,来观察掺杂对量子阱的极化场、能带结构、电子和空穴分离的影响,并选取其中较好掺杂位置作为后续实验的依据。在实验中,我们采用金属有机物化学气相沉积(MOVPE)生长技术,在蓝宝石衬底(0001)面、A1N缓冲层上外延相应的纤锌矿结构AlGaN量子阱。光致发光谱(PL)测量显示

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