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5. 化学腐蚀对硅片抛光工艺的影响

化学腐蚀对硅片抛光工艺的影响

来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong545

【摘 要】

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该文采用两种不同的化学腐蚀液对硅研磨片进行化学腐蚀，通过观测两种腐蚀片之间表面状态及几何参数的差别来研究两种化学腐蚀的不同，并分析了其对抛光工艺的影响，最终从理论和实

【作 者】

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刘传军 赵权 刘春香 杨洪星 刘杏昌 韩梅 耿莉 

【机 构】

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电子材料研究所

【出 处】

：

第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

1999年9期

【关键词】

：

化学机械抛光 化学腐蚀 抛光 硅片 

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论文部分内容阅读

该文采用两种不同的化学腐蚀液对硅研磨片进行化学腐蚀，通过观测两种腐蚀片之间表面状态及几何参数的差别来研究两种化学腐蚀的不同，并分析了其对抛光工艺的影响，最终从理论和实践两方面优化了抛光工艺。同时文中还对不同腐蚀方式遗留在抛光片上的腐蚀表面将会对器件及后道工序产生的影响进行了初步探讨。

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