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发光二极管芯片光退化特性研究
发光二极管芯片光退化特性研究
来源 :第十四届全国LED产业发展与技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yanzhijianer
【摘 要】
:
本文分析了LED芯片光输出退化机理,分组抽取LED芯片进行光退化试验,通过实验验证了LED芯片光输出退化的小电流现象.利用此现象扩大了LED外延工艺设计和日常生产的试验监控范
【作 者】
:
蔡伟智
梁奋
时军朋
赵来文
【机 构】
:
三安光电股份有限公司,福建厦门361009
【出 处】
:
第十四届全国LED产业发展与技术研讨会
【发表日期】
:
2014年9期
【关键词】
:
发光二极管芯片
光退化特性
小电流现象
寿命试验
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本文分析了LED芯片光输出退化机理,分组抽取LED芯片进行光退化试验,通过实验验证了LED芯片光输出退化的小电流现象.利用此现象扩大了LED外延工艺设计和日常生产的试验监控范围,有效为LED外延材料生长工艺的优化和改善提供参考数据,达到预测和改善LED芯片光退化现象的目的.
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