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在氧气和氩气组成的混合气体环境中,以纯硅片为靶材,采用微波电子回旋加速度共振产生等离子体增强的射频反应磁控溅射方法,成功地在高速钢基底上沉积二氧化硅薄膜。采用原子力显微镜和X射线光电予能谱仪分析了薄膜的微观结构和化学成分。分析了气体的摩尔百分比[O2]／[Ar]、射频功率、基片偏压等对薄膜化学成分的影响。对比研究了在-20V直流偏压和-80V射频偏压时的薄膜成分和化学性能。研究发现轰击基片的离子能量增加有助于形成较好性能的薄膜。采用本文提出的方法在高速钢基底上沉积的二氧化硅薄膜致密均匀,而且具有正确的化学配比和电绝缘性能。