一种高压运算放大器的设计

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lambkin
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本文设计了一款双高压单片集成MOSFET运算放大器,它适用于静电传感器和静电偏移应用。由于每个放大器所提供的额定电压为350V,输出电流为60mA,对高压压电驱动电路来说该高压运放也是极好的低功耗选择。MOSFET输出使该高压运放避免了二次击穿限制,其功耗维持在最小值,每个放大器静态额定电流只有2mA.该运放用陶瓷封装,有18个管脚,对每个放大器有极好的补偿。
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