【摘 要】
：
本文提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的法法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。我们
【机 构】
：
北京大学微电子研究院宽禁带研究室,北京 10086
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的法法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO2薄膜为金红石结构。我们分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过工艺优化制备出的MIS结构漏电流密度可低至10-7A/cm2数量级,而击穿电压约为300V。实验数据表明,这种热氧化生成TiO2绝缘栅的制备工艺简单、成本低,抑制栅漏电效果显著,有望应用于AlGaN/GaN基HEMT器件制备工艺中。
其他文献
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结
本文采用湿化学腐蚀方法结合扫描电子显微镜、阴极荧光谱仪手段对GaN(0001)/Al2O3中的位错进行了研究。实验以熔融的浓度比为1:1的KOH-NaOH溶液加入10wt％的MgO,对样品进行腐蚀
寒潮突袭上海,黄浦江被几丝雾气缠绕,一艘刚刚下水的军舰停泊在码头,睡在沙发上的孙明突然间醒来,他掀开毛毯,快步走到窗前,伸手推开窗户的一刹那,一股寒气瞬间涌入,孙明打了
Gab/中与缺陷相关的黄带(YL)一般归因于从浅施主或导带到深受主的跃迁。然而，贡献于YL的深受主来源仍然处于争论之中。大量的研究表明在非故意掺杂和n型GaN中，镓空位(VGa)相关
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。GaN样品采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300-800nm测试波长范围
本文采用简单的双有机层结构Glass/ITO/MoO3/TPD/TPBI/LiF/Al,制备了有机电致发光器件,获得了来自于TPD分子的位于402nm的近紫外电致发光。器件的最大外量子效率达到了1.2％。
钱璎同志:接来信,知道请上海人民出版社代为寄赠的《磨剑室诗词集》已收到,很好。我们也托出版社代寄给小惠、厚祥同志各一部,想来他们亦已收到。先父百年诞辰纪念事,已由朋
采用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃和硅衬底上制备出了具有择优取向的透明ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外。可见吸收光谱仪分别对ZnO薄膜的结构、表面形貌
稀磁半导体由于具有电子自旋输运和存储特性而倍受瞩目。近年来,稀磁半导体的III-V族氮化物研究取得了很大的进展。本文利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn
长期以来,在英语教学中,忽略了语言和文化的关系,认为外语教学的目的就是培养学生“造一些意义正确、合乎语法规则的句子”的技能,不注重对学生文化意识的培养,因此,当务之急