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对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ ＦＥＴ进行了瞬态Ｘ－ｒａｙ和低能强流电子束辐照实验，通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ ＦＥＴｓ的瞬态电离辐照效应，运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二极管等效电路模型解释了实验结果。
PMOSFET的低能瞬态X-ray及强电子束电离辐照效应
【摘 要】
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对电离辐照敏感的厚氧化层ｐＭＯＳ ＦＥＴ进行了瞬态Ｘ－ｒａｙ和低能强流电子束辐照实验，通过对阈电压漂移的跟踪监测，研究了ｐＭＯＳ ＦＥＴｓ的瞬态电离辐照效应，运用辐射感生氧化物、界面缺陷模型并结合ＭＯＳ器件寄生二
【机 构】
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科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
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第七届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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1997年期
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