【摘 要】
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硒化锑（Sb2Se3）由于其无毒,材料的丰富以及合适的禁带宽度和较高的吸收系数近些年引起了大家的广泛关注。但是在Sb2Se3制备过程中,Se容易散失,产生Se空位,增加了载流子的复合,
【机 构】
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材料科学与工程学院常州大学; 微纳米颗粒中心江苏大学;
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硒化锑（Sb2Se3）由于其无毒,材料的丰富以及合适的禁带宽度和较高的吸收系数近些年引起了大家的广泛关注。但是在Sb2Se3制备过程中,Se容易散失,产生Se空位,增加了载流子的复合,所以会影响电池的性能。我们使用Sb2Se3和Se双靶共溅射的方法在基底350℃下制备了具有较好结晶性的薄膜,不用后续退火处理,制备方法简单。我们对单靶溅射和双靶共溅射的薄膜进行了表面形貌以及晶体结构分析,发现共溅射补硒后,薄膜的结晶性更好,表面粗糙度降低,薄膜的生长择优取向发生改变,更加有利于载流子的传输。我们同时制备了结构为FTO/CdS/Sb2Se3/Au的器件并得到了3.0%的效率。
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