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用高能沟道背散射分析技术对高能Ｐ注入Ｓｉ、高能Ｐ和低能Ｇｅ注入Ｓｉ和高能Ｓｉ＋Ｐ注入ＩｎＰ的辐射损伤分布和退火晶格恢复过程进行了分析。
高能离子注入损伤的沟道分析
【摘 要】
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用高能沟道背散射分析技术对高能Ｐ注入Ｓｉ、高能Ｐ和低能Ｇｅ注入Ｓｉ和高能Ｓｉ＋Ｐ注入ＩｎＰ的辐射损伤分布和退火晶格恢复过程进行了分析。
【机 构】
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师范大学低能核物理所
【出 处】
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第六届全国固体缺陷会议
【发表日期】
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1994年期
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