氧在GaAs/GaInP/AlGaIn中的SIMS分析

来源 :1998二次离子质谱学国际研讨会暨第二届全国二次离子质谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiji19860729
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用SIMS对用于可见光激光器研制的GaAs/GaInP/AlGaInP材料材料系统进行了测试分析。适当选择质量特征峰,不仅清晰地展示出这种材料系统的结构,而且对非有意掺入的有害杂质氧进行监测,及时发现了工艺系统中的漏气和源的质量问题,对在不同实验条件下制备的多批样品的SIMS分析表明,氧含量的差别在一个数量级以上,氧含量的高低直接影响激光器的性能指标和寿命。为改进工艺和源的质量提供了可靠的依据。
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