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高功率脉冲半导体激光器可以广泛应用于激光雷达、医疗以及车载防撞系统中.传统的半导体激光器主要通过提高驱动电流来获得更高光输出功率,但是激光器的腔面损伤限制了其输出功率.本文利用隧道结技术在材料外延过程中直接将多个PN结外延层串联,将芯片的叠层集成到外延材料内部.隧道结激光器不仅可以增加激光器的斜率效率,而且可以有效地提高半导体激光器的光输出功率密度.本文中采用分子束外延进行InGaAs隧道结激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200 μm、腔长800 μm的905 nm半导体激光器.激光器在脉冲宽度100 ns,重复频率10 kHz,30A工作电流下输出功率达到80W.