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<正>SiON薄膜材料具有优良的光电性能、机械性能和化学稳定性,近年来在微电子、光电等领域成为研究热点,这是因为SiON薄膜由于组成和结构的变化,而表现出介于SiO2和Si3N4单相的性质[1],例如:折射率可从1.46到2.0变化,介电常数从3.9到10变化。本文采用磁控反应溅射（RF）技术在单晶硅基底上制备SiON薄膜,以纯硅为靶材,以Ar为溅射气体,以O2、N2为反应气体,保持总气压和功率不变,通过改变反应气体流量比(Ratio=FO2/FN2=0、1/10、1/5、1/4、1/3、1/2),获得不同组成的SiON薄膜,薄膜厚度约为400nm。