应用于芯片ESD的低压触发SCR结构参数对其维持电压的影响

来源 :四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qingqwer

【摘要】

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LVTSCR(低压触发SCR)具有低触发电压,高二次击穿电压It2等特点,在ESD(静电防护)设计中具有广泛的应用,但其低Vhold(维持电压)很容易导致latch-up(闩锁效应),从而导致器件或电

【作者】

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曲黎明;盛玉荣;蒋苓利;罗小蓉;

【机构】

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电子科技大学功率集成技术实验室成都610051

【出处】

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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会

【发表日期】

：

2012年期

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LVTSCR(低压触发SCR)具有低触发电压,高二次击穿电压It2等特点,在ESD(静电防护)设计中具有广泛的应用,但其低Vhold(维持电压)很容易导致latch-up(闩锁效应),从而导致器件或电路失去控制,最终可能导致器件或芯片损毁.本文主要研究LVTSCR自身的参数对其Vhold值的影响.根据Sentaurus软件仿真结果显示,拉长寄生NPN的基区宽度和寄生PNP的基区宽度都可以有效提高Vhold电压,但是拉长寄生NPN的基区宽度更能有效的提高Vhold值.另外横跨N型阱和P型阱的N+注入区的宽度也对Vhold有一定影响.

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