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本文采用厚光刻胶作为阳极氧化掩膜对磁控溅射Ta薄膜进行阳极氧化,阳极氧化电压可达到200VDC,增加了介质层的厚度从而提高薄膜电容的击穿电压。并根据测试结果计算了阳极氧化Ta2O5薄膜的厚度和阳极氧化电压之间的关系、阳极氧化Ta2O5薄膜的介电常数,为电路设计者提供依据。
阳极氧化Ta2O5薄膜电容制作工艺研究
【摘 要】
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本文采用厚光刻胶作为阳极氧化掩膜对磁控溅射Ta薄膜进行阳极氧化,阳极氧化电压可达到200VDC,增加了介质层的厚度从而提高薄膜电容的击穿电压。并根据测试结果计算了阳极氧化
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十一研究所;
【发表日期】
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2017年期
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