【摘 要】
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采用电子束蒸发(EB)工艺在不同的沉积温度和氧分压参数下制备了HfO2单层膜.X 射线衍射(XRD)测试表明不同的非均质性对应不同的结晶态和微观结构，晶粒的大小和微观结构主要
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采用电子束蒸发(EB)工艺在不同的沉积温度和氧分压参数下制备了HfO2单层膜.X 射线衍射(XRD)测试表明不同的非均质性对应不同的结晶态和微观结构，晶粒的大小和微观结构主要由薄膜的生长机制决定：当沉积温度较低、氧分压较大时，沉积分子动能和迁移率较低，不易结晶，薄膜容易呈无定形态，折射率趋向于正非均质性.当沉积温度较高、氧分压较小时，沉积分子迁移率较高，薄膜容易结晶.薄膜结晶后变疏松，导致折射率呈负非均质性.负非均质性大小与晶粒度息息相关.
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