【摘 要】
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晶体硅材料是太阳能电池的主要材料，其性能的好坏直接影响太阳能电池的光电转换效率。由于多孔硅具有好的减反效果，制作简单，在多晶硅太阳电池应用中被用作减反层，在太阳能光解水中作为基地光电极，是当前研究的热点。多孔硅的主要制备方法是化学刻蚀法、光化学刻蚀法、水热刻蚀法以及电化学刻蚀，但制备出的多是处于纳米级的孔，在本工作中，我们使用电化学阳极氧化法，在以HF为电解液中加入离子液体([BMIm]BF4)添
【机 构】
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山西大同大学应用化学研究所 大同 037009
【出 处】
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第十三届全国太阳能光化学与光催化学术会议
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晶体硅材料是太阳能电池的主要材料，其性能的好坏直接影响太阳能电池的光电转换效率。由于多孔硅具有好的减反效果，制作简单，在多晶硅太阳电池应用中被用作减反层，在太阳能光解水中作为基地光电极，是当前研究的热点。多孔硅的主要制备方法是化学刻蚀法、光化学刻蚀法、水热刻蚀法以及电化学刻蚀，但制备出的多是处于纳米级的孔，在本工作中，我们使用电化学阳极氧化法，在以HF为电解液中加入离子液体([BMIm]BF4)添加剂，在不同的电流密度下分别对p-Si和n-Si进行了刻蚀，成功制备出了均匀的微孔n-Si光电极，并对刻蚀后的硅电极的表面形貌以及光电性能进行了表征。
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