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中国南瓜（Cucurbita moschata）属雌雄异花同株的短日植物,雌花少而雄花多,雌花开花时间和数量（性别分化）对光周期敏感导致其种植地域和播种时间严格受限,尤其是华南地区的蜜本类型南瓜无法在北方种植,在南方的适宜种植期短。研究光周期不敏感的分子调控、性状定位和候选基因分析,获得紧密连锁的分子标记辅助选择育种,为光周期调控中国南瓜开花机理提供重要的理论依据,具有重要的理论和实践意义。以中国南瓜PPIS（光周期不敏感）和PPS（光周期敏感）为材料,在LED补光温室分析雌雄花开花情况。每日16h补光为长日照,8h补光为短日照,温度26℃。在两个日照条件下种植试验材料确定其开花长日照敏感性;利用LC-TOF-MS测定苗期赤霉素（GA）含量。将两份材料杂交,F1代在长日照下表现出光周期不敏感,构建F2分离群体,在长日照下调查161株单株第一雌花节位,评价光周期不敏感性,对株F2子代开展SLAF简化基因组测序,对PPIS和PPS进行重测序,以基因组显著LOD筛选QTL位点,并对QTL位点区间进行基因注释,对筛选的候选基因进行表达分析。PPIS和PPS在短日照下均正常开放雌花,但长日照下PPIS的雌花开花节位与短日照下差异不显著,PPS仅开雄花不开雌花至植株生长至60节。前期转录组研究发现两材料在GA通路存在表达差异,PPIS的GA含量低于PPS。表明PPIS的GA减少与其不敏感性存在关联。该光周期不敏感性状为不完全显性的数量性状,命名为Ppd;构建高密度遗传图谱,该图谱由4655个SLAF标记分布在20个连锁群组成,总图距为2 502.01 cM,以基因组显著LOD> 5.6为阈值,获得1个主效QTL位点,位于LG6连锁群,解释概率达30.5%,最高标记对应的LOD为比对基因组信息对应发现改定位区间位于10号染色体的22.57～23.52 Mb区间,共94.6 kb,区间内仅注释15个基因,且仅有一个基因与开花密切相关为AP2转录因子,在PPIS表达显著高于PPS中,该基因的过表达可导致GA合成的负调控,且受乙烯响应,对该基因的表达分析表明在光周期不敏感材料的顶芽,叶、茎、花器官中的表达量均高于光周期敏感材料,比对两材料的重测序结果发现该基因在两材料中存在5个SNP和1个InDel位点,研究表明调控激素有关基因可能调控光周期敏感性。以该基因的InDel位点开发连锁分子标记在F2群体的基因型和表型吻合度高,可用于材料的筛选。由于PPIS的F1代具有光周期不敏感性,应用该材料选育的‘广蜜1号’品种,大大提高了蜜本南瓜的广适性,在北方得到大面积推广,打破了种植地域和播种时间的限制,具有重要的育种意义和前景。