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该文报道了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上制备的ＩｎＡｓ／ＩｎＰ自组装量子点及其有关特性，这种量子点的光荧光峰值波长为１６０３ｎｍ，半高峰宽为７０ｍｅＶ。此外，针对自组装量子点排列无序问题，提出了用张应变材料作为三维岛成核控制层，成功地制备出按正交网格化有序排列的ＩｎＡｓ自组装量子点。
InAs自组装量子点的制备技术及其应用
【摘 要】
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该文报道了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术在ＩｎＰ衬底上制备的ＩｎＡｓ／ＩｎＰ自组装量子点及其有关特性，这种量子点的光荧光峰值波长为１６０３ｎｍ，半高峰宽为７０ｍｅＶ。此外，针对自组装量子点排列无序问题，提出了用张应变材料作为三维岛成核控
【机 构】
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光电子学国家重点实验室吉林大学分区,吉林大学电子工程系
【出 处】
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全国第8次光纤通信暨第9届集成光学学术会议
【发表日期】
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1997年期
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