论文部分内容阅读
利用砷化嫁m-i-n结构设计并制作了反射式太赫兹源，器件可耐50 kV/cm以上的场强，频宽可以达到4 THz以上，半高全宽可以达到2.7 THz。但现在仍然存在一个问题一太赫兹辐射强度低，如何提高泵浦光的吸收，以及增强光生电子一空穴对的复合来提高辐射效率是这个课题现在努力的方向。
基于砷化镓m-i-n结构的太赫兹源器件设计与优化
【摘 要】
：
利用砷化嫁m-i-n结构设计并制作了反射式太赫兹源，器件可耐50 kV/cm以上的场强，频宽可以达到4 THz以上，半高全宽可以达到2.7 THz。但现在仍然存在一个问题一太赫兹辐射强度低，如
【机 构】
：
上海市现代光学仪器重点实验室,教育部光学仪器与系统工程研究中心,光电信息与计算机工程学院,上海理工大学,200093
【出 处】
：
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
【发表日期】
：
2014年期
其他文献
伴随着我国教育体系和医疗体系的逐步完善,学校对护理学的基础教学要求明确提出了高标准的规范.微课教学能够凸显某一个教学难题,对于某种特殊医护技巧开展教学,有利于协助学
本文提出一种具有辅助埋层的恒流JFET,借助Medici仿真软件,通过对传统恒流JFET和本文所提具有辅助埋层的恒流JFET的恒流特性进行比较可得,本文所提的恒流JFET能有效的提高器
学院积极响应国家“停课不停学”号召组织了形式多样的线上教学,利用各种线上教学资源稳定有序地开展教学.人体解剖学作为重要的医学基础课程,选取超星学习通平台稳步开展线
在秦皇岛引济秦输水工程中,采用了 1000以上预应力混凝土管,接口采用橡胶圈承叉口式接口方法。由于混凝土管承叉口椭圆度超出规定指标,则橡胶圈压缩比过小,压不紧或橡胶圈局
产教融合是当前我国现代职业素质教育以及人才培养工作发展的重要方向,对职业院校而言,深化产教融合可加快高素质高质量职业技能型人才建设脚步;对社会企业而言,深化产教融合
关于西部大开发的法律问题，我认为应着 重加强立法呼吁。因此，四川法律界应 该向中央反映一些问题，以取得比较宽松的条件和政策。 一是法规的制定应向西部适度倾斜：（一）产业投资基
1+X证书制度是我国职业教育制度设计的重大创新.高职院校是落实1+X证书试点的重要力量,从1+X证书制度的内涵和高素质人才的培养需求角度论述了高职院校推行1+X证书制度的重要
本文将脱氧核糖核酸-十六烷基三甲基溴化铵(DNA-CTMA)与银纳米粒子结合,利用旋涂法制备了一种新颖的有机存储器Al/CTMA-DNA-Ag NPs/ITO.由器件的Ⅰ～Ⅴ曲线发现:在正向电压扫描
会议
目前,低温溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管是液晶显示技术发展的趋势,利用In2O3前驱体溶液成功制备了高性能薄膜晶体管(TFT).In2O3沟道层的退火温度为300℃,符合低温柔性器件
根据文献研究,从国家战略角度分析了我国职业教育肩负的重要使命,即助力我国经济结构转型、解决就业民生问题和促进农村现代化,论述了构建有效学习型课堂的必要性和紧迫性,并