隧道氧化层的击穿电荷量特性与EEPROM耐久性评价

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：davidcao1980

【摘要】

：

本文利用MOS电容测试结构研究了恒定电流应力下击穿电荷量QBD的特性.研究表明QBD与电流密度和电流方向有关.QBD随着电流密度的增大而减小,正电流偏置应力下的QBD较大,通过物

【作者】

：

阙金珍刘红侠李蕾蕾

【机构】

：

宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

隧道氧化层击穿电荷量特性电流密度电流应力物理模型实验现象结构研究电容测试电流方向测试方法耐久性评价偏置论文解释恒定

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本文利用MOS电容测试结构研究了恒定电流应力下击穿电荷量QBD的特性.研究表明QBD与电流密度和电流方向有关.QBD随着电流密度的增大而减小,正电流偏置应力下的QBD较大,通过物理模型详细解释了实验现象.论文最后给出了评价EEPROM耐久性的QBD测试方法.当QBD＞5C/cm2时,EEPROM擦/写次数可超过10万次.

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