【摘 要】
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本文提出了一种新型InP 界面控制层技术来降低高K 介质/InGaAs MOS 结构的界面态密度。通过 系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP 界面
【机 构】
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中国科学院微电子研究所 北京 100029
【出 处】
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第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第13届全国青年材料科学技术研讨会
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本文提出了一种新型InP 界面控制层技术来降低高K 介质/InGaAs MOS 结构的界面态密度。通过 系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP 界面控制层的InGaAs MOS 结构的界面态密度比无界面控制层的MOS 结构下降了一个数量级，达到4×1011 cm-2eV-1 的水平。采 用此新型界面工程研制的20 微米栅长高迁移率InGaAs 金属氧化物半导体场效应晶体管显示出优越的器件 特性，其最大饱和电流大于40mS/mm，跨导大于20mS/mm。
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