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文章对当今弱光探测领域的一个研究热点，具有替代传统光电倍增管潜力的半导体探测器-硅光电倍增器(SiPM)进行了介绍，报道了一种利用衬底体电阻作为淬灭电阻的新结构SiPM的研制结果。这种新结构SiPM的面积为0.5mm×0.5mm，APD单元密度104／mm2，单光子分辨本领良好，增益为1058量级，在460nm波长处的最大探测效率达到25.6％，室温暗计数率为1.5 MHz，光学串话4.2％。实验结果显示，这种新结构SiPM能够较好地缓解现有SiPM存在的高探测效率与高动态范围不能兼得的矛盾，光学串话较小，且制作工艺较为简单。