【摘 要】
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应用TGT法生长了直径为 75mm的U :CaF2 晶体 ,宏观上透明完整 .应用公式K0 =Cs Cl 计算了U在CaF2 晶体中的分凝系数等于 0 5 3.应用溶质分布一般公式Cs=K0 C0 (1-g) K0 - 1
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所;中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800;上海201800;上海201800;
【基金项目】
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上海市光科技基金 (批准号 :0 2 2 2 610 5 3 )资助的课题~~
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应用TGT法生长了直径为 75mm的U :CaF2 晶体 ,宏观上透明完整 .应用公式K0 =Cs Cl 计算了U在CaF2 晶体中的分凝系数等于 0 5 3.应用溶质分布一般公式Cs=K0 C0 (1-g) K0 - 1 ,计算U的浓度分布与测量值 ,数值符合说明晶体生长过程接近平衡状态 .分析不同条件下生长的U :CaF2 晶体的晶胞参数和吸收光谱 ,结果表明生长气氛决定U的价态及电荷补偿机理 :无PbF2 存在的条件下 ,U为 +4价 ,晶体呈绿色 ;PbF2 的加入起到氟化去氧作用 ,U倾向于以离子半径最接近于Ca2 + 的U3+ 存在 ,晶体呈红色 .从晶体生长开始到结束的部位 ,U3+ :CaF2 晶体吸收光谱的峰位不变 ,峰强呈现与U浓度相同的增加趋势 .U3+ :CaF2 晶体外层厚约 5mm处呈黄色 ,含有U3+ 和U2 + 的混合价态离子 ,其原理是石墨坩埚的还原作用通过单质铅 ,使部分的U3+ 进一步还原成了U2 + .
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