【摘 要】
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研究了以氮化铝(AlN)为助烧剂的碳化硅晶片(SiCpl)增韧二硼化锆(ZrB2)复合陶瓷材料的制备工艺，并测定其抗弯强度、断裂韧性、致密度和显微硬度。利用扫描电子显微镜(SEM)
【机 构】
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哈尔滨工业大学，黑龙江哈尔滨 150090 清华大学，北京 100084
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研究了以氮化铝(AlN)为助烧剂的碳化硅晶片(SiCpl)增韧二硼化锆(ZrB2)复合陶瓷材料的制备工艺，并测定其抗弯强度、断裂韧性、致密度和显微硬度。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面及断而形貌。复合陶瓷中SiC晶片的添加量分别为5％，10％，15％以及20％(体积分数，下同)，AlN作为烧结助剂添加量为3％。结果表明：适量SiC晶片的添加提高了SiCpl／ZrB2复合陶瓷的烧结致密度；SiCpl／ZrB2复合陶瓷的力学性能比纯ZrR2陶瓷有所提高，抗弯强度和维氏硬度在5％SIC晶片添加量时达到最大，分别为(625_34±21.46)MPa和(14.60±0_84)GPa；断裂韧性在15％SIC晶片添加量时达到最大值(8.35±0.26)MPa·m1/2。断口形貌观察表明主要增韧机制为裂纹偏转与晶片拔出。
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