Application of nitride-based semiconductor materials to high-speed optoelectronics

来源 :The 4th Advances in Optoelectronics and Micro/nano-optics (A | 被引量 : 0次 | 上传用户：dll4718133

【摘要】

：

　　Ⅲ-nitrides materials are very promising ternary alloy system that receives a lot of attentions thanks to theirs tunable bandgap that varies from near infra

【作者】

：

E.Dogheche B.ALSHEHRI K.DOGHECHE D.Decoster I.P Seetoh J.H.Teng S.J.Chua

【机构】

：

Institute of Electronics,Microelectronics and Nanotechnology,UMR-CNRS 8520,Avenue Poincar(e),59652 V

【出处】

：

The 4th Advances in Optoelectronics and Micro/nano-optics (A

【发表日期】

：

2014年期

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　　Ⅲ-nitrides materials are very promising ternary alloy system that receives a lot of attentions thanks to theirs tunable bandgap that varies from near infrared to near ultraviolet regions.

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