【摘 要】
：
Graphene,a single sheet of carbon atoms bonded via sp2 hybridized orbitals,has been one of the most studied materials,both theoretically and experimentally.This enormous attention occurs due to its un
【机 构】
：
Department of Physics,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China
论文部分内容阅读
Graphene,a single sheet of carbon atoms bonded via sp2 hybridized orbitals,has been one of the most studied materials,both theoretically and experimentally.This enormous attention occurs due to its unusual band structure,with linear dispersion of energy for electrons around the K point of the Brillouin zone,and this implies fascinating phenomena such as the exhibition of quantum Hall effect at room temperature.
其他文献
10,10-二溴-9,9-二蒽(DBBA)在Au、Ag、Cu 等贵金属表面可以通过乌尔曼反应偶联并脱氢形成具有特定宽度的扶手椅型石墨烯纳米带(AGNR),因此受到了广泛关注1,2,3.值得一提的是,在Ag(111)表面,DBBA 不仅能形成7-AGNR,还能形成14-AGNR、21-AGNR 等2.考虑到DBBA在偶联之前的自组装结构可能会对偶联的结果有一定影响,我们深入地研究了DBBA 在Ag(
近年来,有机杂化钙钛矿(CH3NH3PbX3,X 可以是CI,Br,I)已经成为光伏器件和光学器件中的明星材料,最显著的应用便是在太阳能电池领域。这类材料以其独特的优点,像制备成本低廉,制备方法简便、周期较短,带隙小,载流子浓度大,扩散长度较长,扩散时间较长以及较宽的吸收波段等等,成为科研领域的一大热点。
Recently,transition metal pentatellurides ZrTe5 and HfTe5 have inspired renewed research interests due to their intriguing topological properties.In the monolayer limit,ZrTe5 was predicted to be a qua
Advanced semiconductor materials with wide band gaps have developed for decades,causing a rise to new optoelectronic and diluted magnetic semiconductor devices.For SrTiO3 materials,defects could great
Recently it has been realized that WHM families with W = Zr,Hf,H = Si,Ge,Sn and M = O,S,Se and Te are topologi cal insulators(TIs)in their two-dimensional monolayer form.By contrast,threedimensional(3
最近，有机电荷转移复合物的多铁性引起了人们的广泛关注，在实验上发现了一些有趣的新现象1-2.我们利用扩展的Su-Schrieffer-Heeger 紧束缚模型，研究了有机聚合物和小分子形成的异质结系统中电荷转移态的铁磁性，并针对实验上的这些新现象给出了理论解释.
我们在(001)方向的SrTiO3 基片上制备了BiFeO3(BFO)/YBCO 异质结构.XRD 结果显示该异质结构只存在STO、BFO 和YBCO 的(00l)衍射峰，不存在其它杂相.通过TEM 截面对其进行选区电子束衍射，表明其界面没有非晶，界面形貌清晰说明没有发生元素扩散.
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面赝势波方法，系统地研究了本征缺陷对闪锌矿和纤锌矿砷化镓纳米线电子结构的影响，并深入分析了p 型掺杂在砷化镓纳米线中的掺杂机制，理解了p 型掺杂效率低的原因，并且找到提高其p 型掺杂效率的方法。
石墨烯1 的发现激起了研究人员对二维材料的极大兴趣,而新型二维材料二硫化钼由于带隙可控受到广泛关注.过渡金属硫化物MXY(M=Mo,W；X≠Y=S,Se,Te)是类似二硫化钼结构的二维极性半导体2.基于密度泛函理论的第一性原理计算3,我们研究了单层WSeTe 中的Rashba 自旋轨道耦合效应4.
实验上发现金属在高温下会穿透石墨烯晶格，插入石墨烯与衬底之间，从而调控石墨烯的电子结构.大量的实验研究揭示了不同的渗透机制.目前大多数实验指出缺陷对金属插入石墨烯与衬底界面起到了很重要的作用.理论研究表明缺陷的存在确实会使得渗透容易1.利用第一性原理计算研究稀土金属Dy 在缺陷石墨烯表面吸附以及穿透石墨烯晶格的机理.