CVD法制备单根磷掺杂P型ZnO纳米线

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【摘要】

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本文采用化学气相沉积法（CVD）制备了磷掺杂p型ZnO纳米线,并且用扫描电子显微谱（SEM）,拉曼谱（RM）,X光衍射谱（XRD）以及光致发光谱对其性质进行表征;通过"lift-off"法制备了单根磷掺杂Zn

【作者】

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顾磊磊郑凯波孙大林陈国荣

【机构】

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复旦大学材料科学系;

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

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ZnO纳米线磷掺杂场效应管

【基金项目】

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上海市科学技术基金项目(No.0752nm016);上海市重点学科建设项目资助(No.B113);国家自然科学基金(No.20833009)

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本文采用化学气相沉积法（CVD）制备了磷掺杂p型ZnO纳米线,并且用扫描电子显微谱（SEM）,拉曼谱（RM）,X光衍射谱（XRD）以及光致发光谱对其性质进行表征;通过"lift-off"法制备了单根磷掺杂ZnO纳米线的场效应管,并对其电学性质进行表征,纳米线的载流子浓度和迁移率分别为1.51×10⁹cm^-1和0.803 cm²/（VS）。

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