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采用新型的刻蚀剂,碳酸钠(Na2CO3)和磷酸钠(Na3PO4·12H2O)实现了晶硅表面的织构。研究了刻蚀剂浓度、温度(T)、刻蚀时间(te)和添加剂对晶硅表面织构的影响,讨论了刻蚀机理。通过优化工艺,得到低的平均表面反射率(Rav):9.70％(NaOH)、9.76％(Na2CO3)和8.63％(Na3PO4·12H2O)。添加剂IPA在Na3PO4·12H2O或Na2CO3溶液中可明显地改善织构效果。将优化工艺应用到异质结太阳电池中,改善了电池的短路电流。