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本文重点研究了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器与平面型金属一氧化物一半导体势垒肖特基整流器两种新型低正向整流器件的结构、机理，并与传统肖特基整流器件在电参数上进行了对比。 通过对比传统结构、平面MOS结构和沟槽MOS结构的三种肖特基二极管的电学特性以及这三种器件在实际应用中的整机转换效率，说明了TMBS、SBR两种器件结构具有良好的低正向及温度特性，且在实际整机转换效率具有优势，从而达成了绿色电源、绿色照明，节能减排之目的。