【摘 要】
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在E—B结雪崩击穿后的硅平面晶体管，其小电流下增益将迅速下降。该文测试了硅平面晶体管3DG80和3DG30的电流增益退化率与雪崩电流I[*vav*]和雪崩时间tav之间的关系。采用热退
【出 处】
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中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第四届学术年会
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在E—B结雪崩击穿后的硅平面晶体管，其小电流下增益将迅速下降。该文测试了硅平面晶体管3DG80和3DG30的电流增益退化率与雪崩电流I[*vav*]和雪崩时间tav之间的关系。采用热退火的方法计算出E—B结雪崩后h[*vFE*]退化机构的激活能，其数值与Si—SiO[*v2*]界面态的激活能一致。利用栅控晶体管的I[*vB*]—V[*vG*]关系，证实了E—B结雪崩引起h[*vFE*]退化的机理是发射结空间电荷区表面处增加了界面态密度。提出用热退火消除h[*vFE*]退化的方法。（本刊录）
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