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本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的腐蚀形貌,研究了腐蚀时间、腐蚀液温度与浓度对腐蚀形貌的影响.化学腐蚀可显示GaN中位错的传播情况且腐蚀坑密度与样品晶体质量存在对应关系,并对其机理进行了讨论.