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叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f<,T>和最高振荡频率f<,max>分别为12GHz和24GHz。
AlGaN/GaN HEMT器件研究
【摘 要】
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叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f和最高振荡频率f分别为12GHz和24GHz。
【机 构】
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信息产业部电子第十三研究所(石家庄) 北京工业大学固态电子学研究所
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2000年12期
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在高真空系统中，将C/n-GaAs和C/p-GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±1V 时，它们的整流比分别大于10和10，以及在固定正向偏压下，它们的电流都是温度倒数的指数函数，从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV。深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H(0.822eV)
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