【摘 要】
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掺锗单晶硅材料由于其较高的机械强度和突出的频率特性,在半导体行业得到越来越广泛的应用.本文介绍了锗掺杂浓度为1～1.5×1019/cm3的10Ω-cm磁控直拉单晶硅衬底上BSFR太阳电
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十八研究所,天津,300381
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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掺锗单晶硅材料由于其较高的机械强度和突出的频率特性,在半导体行业得到越来越广泛的应用.本文介绍了锗掺杂浓度为1～1.5×1019/cm3的10Ω-cm磁控直拉单晶硅衬底上BSFR太阳电池和BSR太阳电池的制备和电性能,试验中锗掺杂BSR太阳电池的AMO效率最高为12.3﹪;锗掺杂BSFR太阳电池的AMO效率达到15﹪.利用1MeV的高能电子对制备的锗掺杂单晶硅太阳电池进行了辐照试验.作为对此,常规10Ω-cm的CZ法单晶硅太阳电池也进行了全部的试验.试验结果表明,1～1.5×1019/cm3锗掺杂浓度的磁控直拉单晶硅太阳电池的电性能和抗辐照性能与常规直拉硅太阳电池基本相同.利用锗掺杂磁控直拉单晶硅片机械强度较高的优点,可以降低太阳电池生产过程破损率.
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