【摘 要】
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采用磁控溅射的方法来分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径2.5μm、12μm、15μm的多孔硅阵列上沉积钛膜。分别讨论了加偏压和不加偏压条件下沉积的钛膜的形貌,及多孔硅的刻蚀形貌
【机 构】
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辐射物理及技术教育部重点实验室,四川大学原子核科学技术研究所;
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采用磁控溅射的方法来分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径2.5μm、12μm、15μm的多孔硅阵列上沉积钛膜。分别讨论了加偏压和不加偏压条件下沉积的钛膜的形貌,及多孔硅的刻蚀形貌对钛膜的影响。研究表明:未加偏压时,钛膜在多孔硅阵列上以柱状晶和岛装生长模式生长,在硅的原刻蚀纹路上堆积,造成沉积的阴影效应,钛膜均匀性差;施加偏压后,沉积的钛膜相对平整,离子经偏压加速后的再溅射效应有效减小了钛原子在硅刻蚀纹路和孔口边缘上的堆积,减小了表面和孔内的沉积厚度比,孔内的钛膜沉积深度达55μm以上。可以看出,多孔硅的表面、孔壁形貌也会影响钛膜的形貌,平滑的孔壁要优于粗糙的孔壁。
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