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X射线与γ同属电离辐射，其对半导体器件的辐照效应从损伤机理上看有一定的等同性，但由于X射线能量较γ射线低，与半导体器件封装材料的反应截面大，因此产生辐照效应与γ射线有一定的差异，该文简要介绍了X射线辐照半导体器件的总剂量效应初步研究的结果。
X射线总剂量效应的初探
【摘 要】
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X射线与γ同属电离辐射，其对半导体器件的辐照效应从损伤机理上看有一定的等同性，但由于X射线能量较γ射线低，与半导体器件封装材料的反应截面大，因此产生辐照效应与γ射线有一定
【机 构】
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航天总公司一院十四所(北京)
【出 处】
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年期
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