晶体硅电池的氮氧化硅硅(SiOxNy)薄膜特性研究

来源 :第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) | 被引量 : 0次 | 上传用户:yangdod
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氮氧化硅(SiOxNy)作为减反射膜,可以兼备氮化硅(SiNx)的减反效果和二氧化硅(SiO2)的钝化效果.本文在工业型DIRECT-PECVD 上,通过优化各项工艺参数,使得氮氧化硅薄膜减反、钝化效果达到最优.通过红外傅里叶分仪分析:发现随着氧含量减小,钝化效果先增大后减小,当折射率达到1.85 时,沉积薄膜前后少子寿命增益最大.通过与常规的单、双层氮化硅薄膜对比,发现:氮氧化硅具有最优的短波响应.同时,氮氧化硅的电池转换效率较双层氮化硅电池提升0.19%.
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现今的大规模太阳电池生产领域,P 型衬底占了绝大部分的市场份额,而N 型硅衬底由于其高少子寿命和无光致衰减越来越受关注.本论文以N 型的铝背发射极电池为基础,分析了P、N型刻蚀过程中的差异情况.在实验中发现,在相同情况下,P 型衬底和N 型衬底在经过磷扩散分别形成PN 结和N+前面场后,去除磷硅玻璃,进行硝酸/氢氟酸的单面刻蚀,N 型衬底的减薄质量平均比P 型的减薄质量高出0.05 g 左右;同时